Литография с использованием лазера и кремния останется главным способом выпуска чипов и в следующем десятилетии

Ещё в мае являющаяся лидером в сегменте литографических сканеров компания ASML рассказала о перспективах появления к началу следующего десятилетия систем, позволяющих работать со сверхвысоким значением числовой апертуры — 0,75 (Hyper-NA EUV). Представители Imec утверждают, что и в следующем десятилетии литография не уйдёт от использования лазеров и кремния.

Соответствующими соображениями в интервью EE Times поделился директор Imec по передовым программам экспозиции Курт Ронзе (Kurt Ronse). Эта бельгийская компания более 30 лет помогает ASML осваивать новые технологии при разработке литографических сканеров, поэтому говорить о перспективе их дальнейшего развития он имеет полное право. Уже сейчас, готовясь перейти к литографическим сканерам с высоким (0,55) значением числовой апертуры (High-NA EUV), производитель оборудования сталкивается с некоторыми проблемами.

В частности, при таком значении числовой апертуры уже начинает проявлять себя поляризация света, снижая контрастность проецируемого на кремниевую пластину изображения. Для борьбы с нею можно использовать поляризационные фильтры, но они повышают энергопотребление оборудования и себестоимость продукции. При переходе к Hyper-NA EUV, как поясняет представитель Imec, проблемой станет поиск новых фоторезистивных материалов, поскольку даже при значении числовой апертуры 0,55 толщина их слоя уменьшается, а это ухудшает точность последующего химического травления.

По словам Курта Ронзе, TSMC не торопится переходить на High-NA EUV благодаря наличию у компании опыта работы с множественными фотошаблонами. Intel таким опытом в достаточной мере не обладает, а потому предпочитает просто перейти на более дорогое оборудование с более высокой разрешающей способностью. Применение двойного шаблонирования потребовало бы более точного позиционирования фотомасок, компания Intel в этой сфере просто не обладает достаточным опытом. По мнению представителя Imec, компания TSMC решится перейти на использование High-NA EUV ближе к концу текущего десятилетия.

В общем случае, подобное оборудование найдёт своё применение при производстве чипов с использованием литографических норм тоньше 2 нм — вплоть до 7 ангстрем. После этого нужно будет применять литографические сканеры со сверхвысоким значением числовой апертуры (Hyper-NA EUV). Такой переход позволит отказаться от двойного шаблонирования, поскольку последний метод увеличивает затраты на оснастку и удлиняет производственный цикл, повышая себестоимость продукции.

Исследователи рассматривали несколько альтернатив литографическому оборудованию со сверхвысоким значением числовой апертуры, по данным Imec. Одной из них является технология нанопечати транзисторов, но по своей производительности данный метод сильно уступает даже сканеру High-NA EUV. Ещё одной альтернативой считалось использование нескольких направленных потоков электронов для формирования нужного рисунка на кремниевой пластине, но единственный производитель подходящего оборудования разорился.

Применение новых материалов вместо кремния пока тоже затруднено, как поясняет представитель Imec. Существуют материалы с более высокой подвижностью электронов, но их очень сложно нанести на пластину, которая при этом продолжит оставаться кремниевой. Оборудование для нанесения новых материалов будет сочетаться с новыми химикатами, и соответствующие эксперименты уже ведутся в лабораториях, но они пока далеки от массового применения.