Тесты Qualcomm Snapdragon 8 Elite показали, что смартфоны на нём склонны к перегреву

Мобильный чип Qualcomm Snapdragon 8 Elite обещает произвести революцию и обеспечить Android-смартфонам скорость работы, не уступающую iPhone. Но толку от этой производительности может и не быть, если процессор нагревается слишком сильно.

Одним из первых телефонов на Snapdragon 8 Elite станет Realme GT7 Pro — он уже попал в руки журналистов некоторых изданий, и те сообщили, что он может слишком сильно нагреваться во время работы. Центральный процессор содержит два основных ядра на 4,32 ГГц и шесть производительных на 3,53 ГГц — платформа производится с использованием техпроцесса TSMC 3 нм; Qualcomm обещает прирост производительности процессора на 40 %, а графической подсистемы — на 45 %. Чип также обещает прирост энергоэффективности по сравнению со своим предшественником в лице Snapdragon 8 Gen 3.

Однако во время стресс-тестов Realme GT7 Pro раскалился до такой степени, что включились защитные механизмы, и приложение бенчмарка прекратило работу, не завершив замеров производительности — отключились вообще все приложения, кроме «Телефона» и «Сообщений». И это при наличии системы охлаждения. Но есть версия, что проблема не в процессоре — это телефон попытался обмануть бенчмарк и нарушил ограничения мощности. Это подтвердилось при запуске модифицированных бенчмарков, которые Realme GT7 Pro не был обучен распознавать.

В играх он проявил себя адекватно, лишь немного нагревшись после игровой сессии на 30 минут, как и ожидалось. Устройство действительно показывало высокую производительность, не давая других веских поводов для беспокойства. В альтернативных бенчмарках Snapdragon 8 Elite, однако, показал себя лишь на 11–13 % быстрее предшественника, что не вполне соответствует заявлению Qualcomm о 40-процентном приросте скорости работы. Возможно, причина состоит в синтетическом характере работы бенчмарков, но не исключаются и другие, менее приятные для Realme и Qualcomm варианты.